三星电机携手高通研发有机桥片2.1D封装技术
三星电机与高通合作开发面向AI芯片的2.1D先进封装技术，采用嵌入式有机桥片替代硅基方案。该技术通过RDL工艺实现5-7层微电路布线，目标达成1.5-2微米线宽/间距及500-1000/mm图案密度，可提升I/O带宽并降低制造成本。
三星电机与高通正在推进AI芯片封装技术革新，双方基于有机桥片的2.1D封装方案已进入研发认证阶段。该技术通过有机材料替代传统硅桥片，既规避了英特尔EMIB专利风险，又降低了生产成本。技术核心在于利用RDL工艺构建微型衬底，实现更精细的电路布线密度。这种封装方式相比传统FC-BGA堆叠结构，能显著提升芯片的I/O带宽性能。对于半导体行业而言，这项技术可能改变先进封装领域的材料选择方向。读者可关注后续技术验证进展，评估其对芯片制造成本和性能的潜在影响。
本文为编辑摘要与评述，原始报道见 ithome。 版权归原出处所有。
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